Name: Infineon Automotive IGBT Module، High Power IGBT Module Converters FF1200R12IE5
Brand: Infineon
SKU: FF1200R12IE5
Rating: 5 (159 reviews)

منزل المنتجات وحدة السلطة IGBT

Infineon Automotive IGBT Module، High Power IGBT Module Converters FF1200R12IE5

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	Infineon
رقم الموديل:	FF1200R12IE5

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	1 مجموعة
تفاصيل التغليف:	خشبيّ صندوق تعليب
وقت التسليم:	25 يومًا بعد توقيع العقد
شروط الدفع:	T/T
القدرة على العرض:	1000sets

اتصل

مفصلة وصف المنتج

VCES:

1200V

IC nom:

1200A

ICRM:

2400A

تسليط الضوء:

وحدة igbt عالية الطاقة

وحدة eupec igbt

انفينيون تكنولوجيز السيارات وحدات IGBT محولات الطاقة العالية FF1200R12IE5 محركات السيارات

التطبيقات النموذجية
• محولات الطاقة العالية
• محركات السيارات
• أنظمة UPS

الميزات الكهربائية
• تمدد درجة حرارة التشغيل T vj op
• قدرة عالية ماس كهربائى
• متانة لا تقبل المنافسة
• T vj op = 175 درجة مئوية
• Trench IGBT 5

الميزات الميكانيكية
• الحزمة مع CTI> 400
• كثافة عالية الطاقة
• قدرة عالية الطاقة ودرجة الحرارة الحرارية
• ارتفاع creepage ومسافات التخليص

IGBT العاكس
القيم المقدرة القصوى

جهد جامع-باعث	Tvj = 25 درجة مئوية	VCES	1200	الخامس
مستمر جامع DC الحالي	TC = 80 درجة مئوية ، Tvj max = 175 درجة مئوية	IC nom	1200	ا
تكرار جامع الذروة الحالي	tP = 1 مللي ثانية	ICRM	2400	ا
بوابة باعث باعث الجهد		VGES	+/- 20	الخامس

قيم مميزة دقيقة. الطباع. كحد أقصى.

جامع باعث تشبع الجهد	IC = 1200 A ، VGE = 15 V Tvj = 25 درجة مئوية IC = 1200 A، VGE = 15 V Tvj = 125 ° C IC = 1200 A، VGE = 15 V Tvj = 175 ° C	جلس VCE		1،70 2،00 2،15	2،15 2،45 2،60	VVV
بوابة عتبة الجهد	IC = 33،0 mA، VCE = VGE، Tvj = 25 ° C	VGEth	5،25	5،80	6،35	الخامس
اجره البوابه	VGE = -15 V ... + 15 V، VCE = 600V	QG		5،75		μC
مقاوم البوابة الداخلية	Tvj = 25 درجة مئوية	RGint		0،75		Ω
السعة الإدخال	f = 1 MHz، Tvj = 25 ° C، VCE = 25 V، VGE = 0 V	تجمعهم		65،5		طراز NF
سعة نقل عكسي	f = 1 MHz، Tvj = 25 ° C، VCE = 25 V، VGE = 0 V	CRES		2،60		طراز NF
جامع - بقطع التيار الحالي	VCE = 1200 V ، VGE = 0 V ، Tvj = 25 درجة مئوية	ICES			5،0	أمبير
بوابة تسرب باعث الحالية	VCE = 0 V ، VGE = 20 V ، Tvj = 25 درجة مئوية	IGES			400	غ
بدوره تأخير الوقت ، الحمل الاستقرائي	IC = 1200 A ، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجة مئوية RGon = 0،82 Ω Tvj = 175 ° C	يوم على		0،20 0،23 0،25		ميكرو ثانية ميكرو ثانية ميكرو ثانية
وقت الصعود ، الحمل الاستقرائي	IC = 1200 A ، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجة مئوية RGon = 0،82 Ω Tvj = 175 ° C	آر		0،16 0،17 0،18		ميكرو ثانية ميكرو ثانية ميكرو ثانية
إيقاف وقت التأخير ، الحمل الاستقرائي	IC = 1200 A ، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجة مئوية RGoff = 0،82 Ω Tvj = 175 ° C	تي دي قبالة		0،48 0،52 0،55		ميكرو ثانية ميكرو ثانية ميكرو ثانية
وقت الخريف ، الحمل الاستقرائي	IC = 1200 A ، VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 درجة مئوية RGoff = 0،82 Ω Tvj = 175 ° C	فريق العمل		0،08 0،11 0،13		ميكرو ثانية ميكرو ثانية ميكرو ثانية
بدوره على فقدان الطاقة لكل نبضة	IC = 1200 A، VCE = 600 V، LS = 45 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V، di / dt = 6000 A / µs (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 0،82 Ω Tvj = 175 ° C	دهر		80،0 120 160		جول جول جول
إيقاف فقدان الطاقة لكل نبضة	IC = 1200 A، VCE = 600 V، LS = 45 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V ، du / dt = 2800 V / µs (Tvj = 175 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 0،82 Ω Tvj = 175 ° C	Eoff		130 160 180		جول جول جول
بيانات SC	VGE ≤ 15 V ، VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 µs، Tvj = 175 ° C	ISC		4000		ا
المقاومة الحرارية ، تقاطع إلى حالة	IGBT / لكل IGBT	RthJC			28،7	K / كيلو واط
المقاومة الحرارية ، لحالة بالوعة الحرارة	IGBT / لكل IGBT λPaste = 1W / (م · K) / λgrease = 1W / (م · K)	RthCH		22،1		K / كيلو واط
درجة حرارة تحت ظروف التبديل		Tvj المرجع	-40		175	° C